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STMicroelectronics et Samsung partenaires pour développer la technologie FD-SOI

Les deux groupes ont signé un accord majeur portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nanomètres (nm), qui permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et dégageant moins de chaleur, répondant ainsi à la demande en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie pour les produits électroniques de nouvelle génération notamment les produits mobiles et destinés au grand public. Cette technologie est également le résultat d'une activité de recherche et développement de longue date menée au sein du pôle technologique grenoblois regroupant STMicroelectronics, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires.

Samsung et STMicroelectronics signent un accord stratégique pour étendre l’utilisation de la technologie FD-SOI en technologie 28 nm

STMicroelectronics, un leader mondial dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et Samsung Electronics Co., Ltd., un leader mondial dans le domaine des semiconducteurs avancés, annoncent ce jour la signature d’un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d’une collaboration de production multi-sources.

Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l’écosystème de conception développés par ST. La technologie FD-SOI en 28nm de ST a déjà démontré ses avantages en termes de rapport rapidité/consommation d’énergie et de simplicité, et l’engouement des concepteurs de circuits intégrés à propos de cette technologie continue d’augmenter. Cet accord complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l’expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015.

« Capitalisant sur les solides relations nouées par ST et Samsung dans le cadre de l’International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage  notre coopération en l’étendant à la technologie FD-SOI en 28 nm, tout en élargissant l’écosystème et en augmentant la capacité de production pour ST, mais également pour l’ensemble de l’industrie électronique. De plus, cet accord confirme et renforce la dynamique commerciale que connaît cette technologie depuis plusieurs trimestres auprès de nombreux clients à travers les projets engagés au sein de notre activité dédiée aux solutions de traitement embarquées », a déclaré Jean-Marc Chery, directeur général (COO) de STMicroelectronics. « Nous prévoyons l’élargissement de l’écosystème FD-SOI en 28 nm avec les principaux fournisseurs d’outils de CAO électronique (EDA) et de propriété intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d’IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm. »

Complément d’information technique
La technologie FD-SOI résulte d’une activité de recherche et développement de longue date  mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d’autres partenaires. Elle convient tout particulièrement aux marchés qui exigent un rendement énergétique et des performances optimum, alliés à des coûts globaux maitrisés. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge efficacement la Loi de Moore*  en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d’autres filières de fabrication, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique (EDA) et d’équipements de production déjà installés.

* Dans un article publié par Electronics Magazine en 1965 sous le titre "Cramming more components onto integrated circuits, Gordon E. Moore déclare que le nombre de transistors que l’on trouve dans un circuit intégré double environ tous les deux ans.

Source : extrait communiqué de Presse STMicroelectronics 05/2014

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Editor :

Administration de Grenoble Ecobiz

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